這是一個(gè)關(guān)于開(kāi)關(guān)電源常用元器件介紹PPT，包括了電阻，電容，二極管，晶體管，MOSFET和IGBT等內(nèi)容，開(kāi)關(guān)電源技術(shù)（二）開(kāi)關(guān)電源技術(shù)（二）開(kāi)關(guān)電源技術(shù)（二） 電阻貼片電阻貼片電阻碳膜電阻薄膜電阻繞線電阻繞線電阻壓敏電阻溫度為20度，壓敏電阻上流過(guò)1mA直流電流時(shí)，加在該壓敏電阻兩端的相應(yīng)電壓叫做壓敏電壓。 220V一般選擇600V 壓敏電阻電阻電阻值（E24、E96）精度（誤差）（±0.01%,0.05%, 0.1%, 0.25%, 0.5%,1%,5%）最大電壓（封裝）溫度系數(shù) （5PPM；10PPM；15PPM；25PPM；50PPM）額定功率（封裝、降額） 開(kāi)關(guān)電源技術(shù)（二）電容貼片電容 CBB電容電容的高頻模型電容開(kāi)關(guān)電源技術(shù)（二）二極管二極管二極管二極管開(kāi)關(guān)電源技術(shù)（二）三極管開(kāi)關(guān)電源技術(shù)（二）功率半導(dǎo)體的應(yīng)用范圍 MOSFET MOSFET MOSFET 工作原理： 由柵極(Gate)電壓來(lái)改變導(dǎo)電溝道，從而控制漏極(Drain)、源極(Source)之間的電流和等效電阻，使場(chǎng)效應(yīng)管處于截止或?qū)�通狀態(tài)。 MOSFET 優(yōu)點(diǎn)電流增益大，驅(qū)動(dòng)功率小，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單; 開(kāi)關(guān)速度很快，工作頻率很高; 正的電阻溫度特性（負(fù)的電流溫度特性），易并聯(lián)均流。缺點(diǎn)通態(tài)電阻較大，通態(tài)損耗相應(yīng)也大；單管容量難以提高，只適合小功率（10KW以下）。 MOSFET 靜態(tài)參數(shù)正向通態(tài)電阻Ron 漏極電壓UDS 漏極電流ID、最大漏極電流IDM 漏極擊穿電壓UBDS : <1500V 柵極開(kāi)啟電壓UGSth 柵源擊穿電壓UBGS :一般為±20V。 MOSFET的主要寄生參數(shù) MOSFET 動(dòng)態(tài)參數(shù)極間電容輸入電容：Ciss 輸出電容：Coss 反饋電容：Crss MOSFET 開(kāi)關(guān)電源技術(shù)（二） IGBT IGBT的封裝形式 IGBT的封裝形式 IGBT 最大集射極間電壓UCES——由內(nèi)部PNP晶體管的擊穿電壓確定。最大集電極電流——包括額定直流電流IC和1ms脈寬最大電流ICP。最大集電極功耗PCM——正常工作溫度下允許的最大功耗，歡迎點(diǎn)擊下載開(kāi)關(guān)電源常用元器件介紹PPT。

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