這是一個關(guān)于開關(guān)電源參數(shù)計算介紹PPT，包括了PFC電路基本原理，PFC相關(guān)參數(shù)的計算，開關(guān)電源參數(shù)計算等內(nèi)容，討論： 從上述關(guān)于二次側(cè)整流二極管所流電流峰值的公式中可以看到，此峰值電流只和效率，輸出電流有關(guān)。在這里我們可以把I看作是η的函數(shù)，對其求導得 : I.’= -2/η2. 所以I是遞減函數(shù)，其大致曲線如圖 : ⑦主MOS耐壓值的確定 從變壓器的電流波形可知,電流在減少時會產(chǎn)生一個反電動勢。 在主MOS導通時有: V0高壓=(ΔＩ/Δ ton)*L主 (電感特性) = Δ Ф /Δ t=Δ B * S *N /Δ ton (法拉第電磁感應定律) 從中可以導出 Δ B=( V0高壓Δ ton)/SN 在截止時,由法拉第電磁感應定律： ε=ε反+ε漏=Δ Ф /Δ tr=Δ B *S *N /Δ tr =(V0高壓Δ ton)/ Δ tr 上式變形后得; ε*Δ tr= V0高壓Δ ton (面積相等,tr 包括泄磁階段,恢復階段) 同時在截止時,由二次測反加回一次側(cè)的電壓ε反大小應為 ε反=V0’*N 這樣在主MOS上產(chǎn)生的壓降為 V=V0高壓+ε反= V0高壓+V0’*N 在考慮主變壓器的漏感時有下述方程： ε漏=(Ip/tr泄磁)*L漏 所以加在MOS管上的總壓降是 V= V0高壓+V0’*N+ε漏 = V0高壓+(V0/D主)*N+(Ip/tr泄磁)*L漏 又因為ε反應當相等，則 ε反=(V0高壓Δ ton)/ Δ tr-ε漏 1式 ε反= V0’*N 2式 通過1,2兩式可以得出 Δ ton=｛( V0’*N+ε漏)/ V0高壓｝*Δ tr 取V0高壓=390V, V0=12V, D主=0.3385, N=11, Ip=1.537A, tr泄磁=2uS, L漏=30uH 帶入上式得;V=390+389.9+23.055=802.955V，歡迎點擊下載開關(guān)電源參數(shù)計算介紹PPT。

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討論： 從上述關(guān)于二次側(cè)整流二極管所流電流峰值的公式中可以看到，此峰值電流只和效率，輸出電流有關(guān)。在這里我們可以把I看作是η的函數(shù)，對其求導得 : I.’= -2/η2. 所以I是遞減函數(shù)，其大致曲線如圖 : ⑦主MOS耐壓值的確定 從變壓器的電流波形可知，電流在減少時會產(chǎn)生一個反電動勢。 在主MOS導通時有: V0高壓=(ΔＩ/Δ ton)*L主 (電感特性) = Δ Ф /Δ t=Δ B * S *N /Δ ton (法拉第電磁感應定律) 從中可以導出 Δ B=( V0高壓Δ ton)/SN   在截止時，由法拉第電磁感應定律： ε=ε反+ε漏=Δ Ф /Δ tr=Δ B *S *N /Δ tr =(V0高壓Δ ton)/ Δ tr 上式變形后得; ε*Δ tr= V0高壓Δ ton (面積相等，tr 包括泄磁階段，恢復階段) 同時在截止時，由二次測反加回一次側(cè)的電壓ε反大小應為 ε反=V0’*N 這樣在主MOS上產(chǎn)生的壓降為 V=V0高壓+ε反= V0高壓+V0’*N 在考慮主變壓器的漏感時有下述方程： ε漏=(Ip/tr泄磁)*L漏 所以加在MOS管上的總壓降是 V= V0高壓+V0’*N+ε漏 = V0高壓+(V0/D主)*N+(Ip/tr泄磁)*L漏   又因為ε反應當相等，則 ε反=(V0高壓Δ ton)/ Δ tr-ε漏 1式 ε反= V0’*N 2式 通過1，2兩式可以得出 Δ ton=｛( V0’*N+ε漏)/ V0高壓｝*Δ tr   取V0高壓=390V， V0=12V， D主=0.3385， N=11， Ip=1.537A， tr泄磁=2uS， L漏=30uH 帶入上式得 ; V=390+389.9+23.055=802.955V 　PCe紅軟基地

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