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氧化工藝 工藝流程（陽(yáng)極） 干氧氧化 濕氧氧化 氧化速率 氧化工藝的應(yīng)用 工藝流程 工藝流程 脫脂 將器件放入脫脂槽中，其主要目的是去除器件表面油污。 堿洗 去除表面的氧化層，將純凈的金屬基體露出來。 酸洗 使用硝酸，在常溫下進(jìn)行處理，去除表面污垢。 化拋 使用磷酸，操作溫度92℃，對(duì)器件表面進(jìn)行化學(xué)拋光。 工藝流程 氧化 使用硫酸，操作溫度在21℃，在器件表面形成一層氧化膜，起到保護(hù)裝飾等作用。 染色 使用染料，在操作溫度55℃，依據(jù)客戶的不同需求，生產(chǎn)出光鮮亮麗的色澤的產(chǎn)品。 工藝流程 封孔 使用封孔劑，在95℃下完成，其作用有以下幾點(diǎn)： 防止陽(yáng)極氧化膜外觀變壞 提高陽(yáng)極氧化膜的耐磨性 最大限度的提高陽(yáng)極氧化膜耐點(diǎn)蝕性能 使染色氧化膜的褪色降到最低程度 提高陽(yáng)極氧化膜抗侵蝕能力 提高陽(yáng)極氧化膜的電絕緣性能，尤其是潮濕環(huán)境的絕緣性 干燥 將器件表面的水分烘干 干氧氧化 干氧氧化是以干燥純凈的氧氣作為氧化氣體，在高溫下氧直接與硅反應(yīng)生成二氧化硅。其化學(xué)反應(yīng)式： Si+O2→SiO2 干氧氧化系統(tǒng)示意圖 濕氧氧化 用𝐻_2 𝑂取代𝑂_2就是濕氧氧化反應(yīng)，生成的氧化層稱為蒸汽氧化層。其化學(xué)反應(yīng)式可以表示如下： Si + 2H2O → SiO2 + 2H2 煮沸式系統(tǒng) 在超過100℃的高溫下將水蒸氣，并經(jīng)過加熱的氣體管道將水蒸氣送入爐管中。 氣泡式系統(tǒng) 先使氮?dú)鈿馀萁?jīng)過超純水，再將水蒸氣帶入爐管中。 氧化速率 溫度 硅中雜質(zhì) 圓片晶向(<100>或<111>) 濕氧或干氧 厚度 壓力 氧化速率與溫度 氧化速率對(duì)溫度很敏感，指數(shù)規(guī)律 溫度升高會(huì)引起更大的氧化速率升高 物理機(jī)理：溫度越高，O與Si的化學(xué)反應(yīng)速率越高；溫度越高，O在SiO2中的擴(kuò)散速率越高 氧化速率與雜質(zhì)濃度 雜質(zhì)元素和濃度 高摻磷的硅有更高的氧化層生長(zhǎng)速率，更低密度的氧化層薄膜和更高的刻蝕速率 通常，摻雜濃度越高，氧化層生長(zhǎng)速率越高；在氧化過程的線性區(qū)(氧化層較薄時(shí))更為顯著。 氧化速率與圓片晶向 <111>表面的氧化速率高于<100>表面 <111>表面的Si原子密度高 注：書本96頁(yè)圖 氧化層應(yīng)用列表of1紅軟基地

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