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第9章 多種薄膜晶體管 長春工業(yè)大學(xué) 王麗娟 2013年02月10日 a-Si:H TFT 手機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊R9D紅軟基地

晶體管放大電路ppt：這是晶體管放大電路ppt，包括了半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性，半導(dǎo)體二極管，半導(dǎo)體三極管，基本放大電路及其分析方法，共射極放大電路的靜態(tài)分析，共射極放大電路的動(dòng)態(tài)分析，靜態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定的放大電路，多級(jí)放大電路，運(yùn)算放大器，負(fù)反饋放大電路，功率放大器等內(nèi)容，歡迎點(diǎn)擊下載。

場效應(yīng)晶體管ppt：這是場效應(yīng)晶體管ppt，包括了概述，場效應(yīng)管的工作原理，場效應(yīng)管特性曲線，場效應(yīng)管的使用注意事項(xiàng)，場效應(yīng)管的等效電路，場效應(yīng)管電路的分析方法等內(nèi)容，歡迎點(diǎn)擊下載。

晶體管的開關(guān)作用PPT：這是一個(gè)關(guān)于晶體管的開關(guān)作用PPT，包括了晶體二極管開關(guān)特性，二極管限幅器及鉗位器，晶體管開關(guān)特性，晶體三極管反相器等內(nèi)容。PN結(jié)正偏時(shí)，在外電壓作用下，PN結(jié)兩端多數(shù)載流子不斷向?qū)Ψ綌U(kuò)散，P區(qū)的空穴擴(kuò)散到N區(qū)，N區(qū)的電子擴(kuò)散到P區(qū)。P區(qū)存有大量電子，N區(qū)存有大量空穴。P區(qū)積累的大量電子被反向電場拉回到N區(qū)，N區(qū)積累的大量空穴被反向電場拉回到P區(qū)。形成電子、空穴漂移電流，這兩個(gè)漂移電流就構(gòu)成了反向電流 i R = -VR/RL 。反向電流 i R 使存儲(chǔ)電荷逐漸消失,靠近空間電荷區(qū)的存儲(chǔ)電荷消失的比較快,當(dāng)空間電荷區(qū)的邊界處沒有存儲(chǔ)電荷時(shí),二極管由正偏轉(zhuǎn)向反偏。存儲(chǔ)時(shí)間結(jié)束，歡迎點(diǎn)擊下載晶體管的開關(guān)作用PPT。