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第 10.1 章 半導體二極管和三極管 10.1.1 半導體的導電特性 1 本征半導體 本征半導體就是完全純凈的、具有晶體結構的半導體。 用得最多的半導體是硅或鍺，它們都是四價元素。將硅或鍺材料提純并形成單晶體后，便形成共價鍵結構。在獲得一定能量(熱、光等)后，少量價電子即可掙脫共價鍵的束縛成為自由電子，同時在共價鍵中就留下一個空位，稱為空穴。自由電子和空穴總是成對出現(xiàn)，同時又不斷復合。 在外電場的作用下，自由電子逆著電場方向定向運動形成電子電流。帶正電的空穴吸引相鄰原子中的價電子來填補，而在該原子的共價鍵中產(chǎn)生另一個空穴�？昭ū惶钛a和相繼產(chǎn)生的現(xiàn)象，可以看成空穴順著電場方向移動，形成空穴電流。 　可見在半導體中有自由電子和空穴兩種載流子，它們都能參與導電。 2 N 型半導體和 P 型半導體 本征半導體中由于載流子數(shù)量極少，導電能力很低。如果在其中參入微量的雜質(zhì)(某種元素)將使其導電能力大大增強。 1）. N 型半導體 　在硅或鍺的晶體中摻入五價元素磷，當某一個硅原子被磷原子取代時，磷原子的五個價電子中只有四個用于組成共價鍵，多余的一個很容易掙脫磷原子核的束縛而成為自由電子。因而自由電子的數(shù)量大大增加，是多數(shù)載流子，空穴是少數(shù)載流子，將這種半導體稱為 N 型半導體。LFY紅軟基地

薄膜晶體管ppt：這是薄膜晶體管ppt，包括了多晶硅薄膜晶體管，氧化物薄膜晶體管，有機薄膜晶體管，化合物薄膜晶體管等內(nèi)容，歡迎點擊下載。

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晶體管的開關作用PPT：這是一個關于晶體管的開關作用PPT，包括了晶體二極管開關特性，二極管限幅器及鉗位器，晶體管開關特性，晶體三極管反相器等內(nèi)容。PN結正偏時，在外電壓作用下，PN結兩端多數(shù)載流子不斷向對方擴散，P區(qū)的空穴擴散到N區(qū)，N區(qū)的電子擴散到P區(qū)。P區(qū)存有大量電子，N區(qū)存有大量空穴。P區(qū)積累的大量電子被反向電場拉回到N區(qū)，N區(qū)積累的大量空穴被反向電場拉回到P區(qū)。形成電子、空穴漂移電流，這兩個漂移電流就構成了反向電流 i R = -VR/RL 。反向電流 i R 使存儲電荷逐漸消失,靠近空間電荷區(qū)的存儲電荷消失的比較快,當空間電荷區(qū)的邊界處沒有存儲電荷時,二極管由正偏轉向反偏。存儲時間結束，歡迎點擊下載晶體管的開關作用PPT。