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LCD Process Introduction1Qj紅軟基地
Important process (Varitronix)1Qj紅軟基地
界大玻璃(substrate scribing)             前清洗(Pre-cleaning)            涂感光劑(PR coating)1Qj紅軟基地
曝光(Exposure)            顯影(Developing)           酸蝕(Etching)            脫膜(Stripping)1Qj紅軟基地
后洗(Final Cleaning)         印絕緣膜(HC Offset)           印定向膜(PI Offset)1Qj紅軟基地
擦膜(Buffing)          絲印(Screen Printing)          玻璃燒結(jié)(Coupling)             切割(Scribing)1Qj紅軟基地
入液晶(LC Filling)            封口(End sealing)        清洗(LC-Cleaning)     測(cè)試(E-testing)1Qj紅軟基地
貼片(Pol sticking)        入腳(Pinning)           包裝(Packing)          出貨 (Shipment)   1Qj紅軟基地
Important option in process1Qj紅軟基地
Pre-Cleaning(前清洗）1Qj紅軟基地
Cleaning is an important option in all process ， we should be assure the surface cleaning of ITO glass ， 1Qj紅軟基地
主要注意玻璃的清潔度﹐倘若玻璃清洗不淨(jìng)﹐PR 與玻璃之間的粘附能力不強(qiáng)﹐造成后面的感光劑脫落;1Qj紅軟基地
主要通過Wettability Test 監(jiān)控玻璃潔淨(jìng)度;1Qj紅軟基地
主要使用之detergent 為TPS-10 & 鹼(NaOH) .1Qj紅軟基地
思考問題﹕1>為什么會(huì)在鹼缸之后再使用其他Detergent??1Qj紅軟基地
                    2>DI water電導(dǎo)率為什么要嚴(yán)格控制???1Qj紅軟基地
PR Coating1Qj紅軟基地
注意事項(xiàng)﹕1Qj紅軟基地
1>注意PR Coating的效果﹐防止感光劑起彩以及涂布不均﹔1Qj紅軟基地
2>感光劑的黏度選擇也是一個(gè)比較重要的管控環(huán)節(jié)1Qj紅軟基地
思考問題﹕白點(diǎn)&黑點(diǎn)對(duì)后面的影響具體呈現(xiàn)的是什么現(xiàn)象或者是什么壞品???1Qj紅軟基地
Exposure1Qj紅軟基地
Mask 清潔問題1Qj紅軟基地
    主要防止Mask受到點(diǎn)塵以及毛屑污染造成一些功能性壞品出現(xiàn)(short)1Qj紅軟基地
能量選擇問題1Qj紅軟基地
    能量過低或者過高是兩個(gè)對(duì)立的方向﹐能量過低﹐感光度不夠造成線粗或者短路以及ITO殘留﹔能量過高會(huì)造成線幼或者斷路1Qj紅軟基地
Developing1Qj紅軟基地
注意事項(xiàng)﹕1Qj紅軟基地
1>顯影液的選擇1Qj紅軟基地
2>顯影濃度的選擇1Qj紅軟基地
3>顯影時(shí)間的控制(顯影的基本原理本來是靠感光劑在曝光過后與鹼反應(yīng)速度差而實(shí)現(xiàn)的)1Qj紅軟基地
    思考問題﹕NaHCO3的作用是什么?1Qj紅軟基地
Etching1Qj紅軟基地
原理﹕刻去未被感光劑保護(hù)的多余的ITO部分﹐留下需要的顯示圖案1Qj紅軟基地
注意事項(xiàng)﹕酸蝕液以及濃度的選擇1Qj紅軟基地
     a.HCl+HNO31Qj紅軟基地
     b.HCl+FeCl3(Varitronix的方式)1Qj紅軟基地
     *思考問題﹕FeCl3的作用是什么???1Qj紅軟基地
Stripping1Qj紅軟基地
原理﹕1Qj紅軟基地
 將覆蓋圖案部分的感光劑除去1Qj紅軟基地
   注意事項(xiàng)﹕1Qj紅軟基地
覆蓋的感光劑能否徹底清除1Qj紅軟基地
Final Cleaning1Qj紅軟基地
原理﹕1Qj紅軟基地
    因?yàn)樵贚CD制作流程過程中對(duì)環(huán)境及使用之材料的潔淨(jìng)標(biāo)準(zhǔn)要求非常嚴(yán)格﹐所以在PI Offset前增加此工序﹔1Qj紅軟基地
    另外在后洗增加一個(gè)浸D2(耦合劑)溶液的過程﹐D2的作用是增加PI 與ITO 之間的結(jié)合能力 。1Qj紅軟基地
Offset1Qj紅軟基地
HC Offset1Qj紅軟基地
   Hardcoating是增加絕緣性﹐防止交叉短路1Qj紅軟基地
注意事項(xiàng)﹕1Qj紅軟基地
    HC的厚度及硬度可以直接決定絕緣性能﹐所以控制Uv能量及玻璃表面溫度為本工序重點(diǎn)管控內(nèi)容 。1Qj紅軟基地
PI Offset1Qj紅軟基地
   PI為定向?qū)萤o它的作用是通過一定的取向作用使液晶分子按照一定的方向進(jìn)行排列﹐達(dá)到取向的效果1Qj紅軟基地
注意事項(xiàng)﹕1Qj紅軟基地
    PI的厚度及其預(yù)傾角是本工序的重點(diǎn)內(nèi)容1Qj紅軟基地
Buffing1Qj紅軟基地
Buffing 的作用是在定向?qū)硬脸鲆欢ǖ亩ㄏ驕喜郓o使液晶分子的長(zhǎng)軸方向按照擦膜后定向溝槽的方向有順序的排列﹔1Qj紅軟基地
Buffing 注意事項(xiàng)﹕1Qj紅軟基地
    1>定向溝槽的深淺1Qj紅軟基地
    2>定向角度的選擇(是TN&STN一個(gè)最主要的區(qū)別)1Qj紅軟基地
    3>速度快慢有什么影響1Qj紅軟基地
絲印(Screen Printing)1Qj紅軟基地
絲印銀點(diǎn)1Qj紅軟基地
    銀點(diǎn)內(nèi)導(dǎo)電珠仔的選擇是一個(gè)主要內(nèi)容﹕導(dǎo)電珠仔過大會(huì)產(chǎn)生點(diǎn)邊色﹔珠仔過小又會(huì)造成導(dǎo)電不良1Qj紅軟基地
絲印框膠1Qj紅軟基地
    注意事項(xiàng)等同于銀點(diǎn)﹐主要注意網(wǎng)及刮膠下壓量的問題﹐如果下壓量過大造成PI壓傷和膠水過肥﹐如果下壓量過小膠水過淡(或者銀點(diǎn)過小)。1Qj紅軟基地
Screen Printing1Qj紅軟基地
1>Spacer Spraying1Qj紅軟基地
    注意鋪珠密度均勻性1Qj紅軟基地
    思考問題﹕密度主要是由什么來決定?1Qj紅軟基地
2>貼合1Qj紅軟基地
    注意對(duì)位精確性1Qj紅軟基地
3>真空裝袋1Qj紅軟基地
    注意真空度的大小1Qj紅軟基地
Coupling1Qj紅軟基地
    我們使用的邊框膠水熱固化膠﹐又稱做熱敏膠﹐它是在一定的溫度下逐漸進(jìn)行固化的環(huán)氧樹脂。1Qj紅軟基地
     注意事項(xiàng)﹕1Qj紅軟基地
     注意固化條件的選擇1Qj紅軟基地
Scribing1Qj紅軟基地
原理﹕1Qj紅軟基地
將大的組合按照設(shè)計(jì)以及客戶要求的大小界成小的cell.1Qj紅軟基地
注意事項(xiàng)﹕1Qj紅軟基地
1>界刀壓力的選擇是要根據(jù)玻璃的厚薄來進(jìn)行定義﹐同時(shí)需要注意的是界刀磨損狀況﹔1Qj紅軟基地
2>界玻璃的公差問題(因?yàn)檫@個(gè)問題會(huì)牽扯到客戶裝機(jī)的問題)1Qj紅軟基地
LC Filling1Qj紅軟基地
1>原理﹕1Qj紅軟基地
   根據(jù)內(nèi)外氣壓差以及毛細(xì)管現(xiàn)象實(shí)現(xiàn)LC 灌注﹔1Qj紅軟基地
2>Filling 方式的選擇﹕1Qj紅軟基地
a.浸入式   b.針注式1Qj紅軟基地
Varitronix采用浸入式注入的延伸1Qj紅軟基地
3>注意事項(xiàng)﹕真空度的大小1Qj紅軟基地
 思考問題﹕氣泡是怎樣產(chǎn)生的??真空問題是否完全可以解決氣泡???1Qj紅軟基地
End-Sealing1Qj紅軟基地
注意事項(xiàng)﹕1Qj紅軟基地
1>UV固化深度1Qj紅軟基地
2>UV膠固化能量選擇1Qj紅軟基地
3>UV膠對(duì)封口處液晶的污染以及UV對(duì)液晶的破壞1Qj紅軟基地
4>加壓封口壓力的選擇1Qj紅軟基地
LC Cleaning1Qj紅軟基地
現(xiàn)行使用之清洗劑為141B(CH2FCHCl2)1Qj紅軟基地
注意事項(xiàng)﹕1Qj紅軟基地
1>夾縫LC的清潔狀況﹔1Qj紅軟基地
2>清洗劑是否對(duì)ITO有破壞作用﹔1Qj紅軟基地
3>超聲波的強(qiáng)度以及是否會(huì)造成珠仔移動(dòng)1Qj紅軟基地
E-Testing1Qj紅軟基地
主要對(duì)一些功能性壞品進(jìn)行檢測(cè)(包括短路.斷路以及其他)1Qj紅軟基地
     其測(cè)試方法包括﹕1Qj紅軟基地
     1>正常測(cè)試﹔1Qj紅軟基地
     2>高壓測(cè)試﹔1Qj紅軟基地
     3>PBT測(cè)試-----主要針對(duì)COG產(chǎn)品﹔1Qj紅軟基地
     4>Vision System(二次測(cè)試﹐主要針對(duì)汽車產(chǎn)品)1Qj紅軟基地
Pol Sticking1Qj紅軟基地
偏光片常分為多鹵素和染料系偏光片﹐其類型有透射型﹑反射型和半透半反射型幾          種﹕下面以反射型偏光片為例來說明其結(jié)構(gòu)(見下圖)﹕1Qj紅軟基地
簡(jiǎn)介L(zhǎng)CD的顯示原理(TN)1Qj紅軟基地
               在光刻有透明電極的兩片玻璃之間夾有幾微米的LC﹐通過對(duì)上下兩基片上PI磨擦成90度夾角﹐由于界面對(duì)液晶分子的錨定作用﹐使液晶分子沿基片上磨擦紋方向進(jìn)行排列﹐從而使液晶分子長(zhǎng)軸在上下兩片玻璃之間連續(xù)扭曲90度。當(dāng)自然光經(jīng)偏光片后﹐只剩下光振動(dòng)方向與偏振軸方向平行的線偏振光通過LC層﹐由于TN型液晶盒﹐其扭曲的螺距P(液晶分子扭曲360度所需的厚度)與液晶的折射 率各向異性的乘積遠(yuǎn)大于可見光波長(zhǎng)λ(即 P* Δ n>> λ，  注盒厚d大致等于螺距P的1/4)，則入射光的偏振面會(huì)沿著液晶分子的扭曲方向進(jìn)行旋轉(zhuǎn)﹐液晶分子長(zhǎng)軸90度扭曲導(dǎo)致90度的旋光。在未加驅(qū)動(dòng)電壓之前﹐如果上下兩個(gè)偏光片的偏振軸正交設(shè)置﹐偏振光將隨著液晶分子的扭曲結(jié)構(gòu)旋轉(zhuǎn)90度﹐振動(dòng)方向變成與下偏光片的偏振軸一致﹐因此偏振光可順利通過偏光片﹐這時(shí)顯示器呈透明狀態(tài)。當(dāng)把驅(qū)動(dòng)信號(hào)電壓(U>2Uth)加到需要顯示的電極時(shí)﹐該部分液晶分子(因液晶為P型)長(zhǎng)軸方向開始變?yōu)榕c電場(chǎng)平行的方向排列﹐扭曲結(jié)構(gòu)消失﹐喪失了旋光能力。由于光偏振方向與底偏光片透光軸垂直﹐偏振光無法透過偏光片被反射或吸收。這樣該顯示電極部分變得不透明﹐呈黑色﹐處于顯示狀態(tài)。1Qj紅軟基地
               在驅(qū)動(dòng)電壓撤除后﹐由于液晶分子受到取向?qū)颖砻驽^定作用而恢復(fù)原來的扭曲排列﹐顯示器又變得透明。 對(duì)常黑(負(fù)性)顯示﹐工作原理也一樣。1Qj紅軟基地
簡(jiǎn)介L(zhǎng)CD的顯示原理(STN)1Qj紅軟基地
               STN液晶顯示器結(jié)構(gòu)與TN相似﹐但其工作原理與TN完全不同﹔它通過加大扭曲角度﹐使其電致畸變曲線變得十分陡峭﹐多路尋址能力得到大大加強(qiáng)。在STN模式中﹐液晶的扭曲角度為180~270度。而要維持這種高扭曲角度必須在向列相液晶中加入一定含量的旋光材料﹐使向列相液晶具有本征的扭曲結(jié)構(gòu)﹐即手性向列相。為提高對(duì)比度﹐必須使分子具有一定的預(yù)傾角(5~6度)﹐同時(shí)由于界面層的液晶分子取向與入射偏振光振動(dòng)方向不一致﹐所以入射的偏振光被分解成正常光和異常光﹐這兩種光在液晶中的傳播速度不同，二者將發(fā)生光干涉。此干涉條件既使分子取向發(fā)生微小變化也會(huì)隨之發(fā)生較大變化。因此STN的閾值特性比TN更加陡峭。1Qj紅軟基地
              在STN中要尋求Δ nd與偏光片方位角βγ的最佳值﹐使電壓作用引起的分子取向突變和光學(xué)的雙折射巧妙的結(jié)合起來。這問題比較復(fù)雜﹐在此不作討論。1Qj紅軟基地
入腳1Qj紅軟基地
原理﹕1Qj紅軟基地
    將LCD假如電極引腳的過程1Qj紅軟基地
LCM導(dǎo)通方式分為三種﹕1Qj紅軟基地
 熱壓  ﹔導(dǎo)電膠  ﹔ Pin1Qj紅軟基地
包裝 & 出貨1Qj紅軟基地
    作為一個(gè)結(jié)尾的工序只要注意對(duì)LCD進(jìn)行保護(hù)就可以達(dá)到要求1Qj紅軟基地
-----The End-----1Qj紅軟基地
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Nov.11 20051Qj紅軟基地

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